中畴

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造句

• 带状结构中畴块的最大长度和最大宽度均先随薄膜厚度的增加而增大，随后稳定变小。
• 通过用铁磁性材料中畴壁固有的自然特性在未构图的磁膜上写入数据，在未构图的磁膜中存储数字信息。
• 在磁学中的主要结构单元是磁畴。
• 我们认为： 分形畴之所以会出现上述现象，是由于畴壁中的VBL的特性引起的。
• 第二部分，对铁电陶瓷中电畴反转引起的宏观本构响应进行了研究。
• 发现薄膜中晶粒的结晶取向、晶粒大小和晶粒边界条件直接影响其电畴的形态复杂程度。
• 本质上，电泡是铁电薄膜中电畴所承受的压缩力与扩张力稳定平衡的结果，是电畴的一种稳定结构。
• 摘要对比了半绝缘多能谷光电导开关中光激发单极畴和耿氏器件中偶极畴的物理机制。
• 一些晶粒中存在反相畴界。
• 计算结果表明反相畴界的薄膜系统中的性质与在体材料中的不同。
• 本课题研究所得主要成果为：首次对磁畴转动中合阻力矩的多项式进行了分析；
• 铁电畴图像复杂的畴衬度与晶粒中的畴排列和晶粒的取向密切相关。
• 通过实验和计算，证明了硬泡畴壁中同号的VBL一般地说并非一个脉冲产生一对。
• 在这些样品中，弱的畴壁钉扎是不能被忽略的。
• 硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线的形成及其稳定性的研究，对布洛赫线存储器（BLM）的研制与使用具有重要意义。
• 通过相邻磁导线中来自磁畴壁的边缘磁场写入磁区。
• 电子衍射的结果表铬酸镧在室温上为正交晶系，并发现晶体中存在畴结构。
• 其次，石榴石磁泡膜中硬磁畴的产生方法是研究硬磁畴性质和稳定性的基础。
• 从形成条件可以合理地推论，畴壁中VBL数目的增加导致硬磁畴静态特性的质的变化。
• 在有序化过程中，有序畴是逐渐长大的，反相畴界呈现出各向同性。
• 作者成功地观察到了PST和PLZT中的微畴，并且取得了非常清晰的照片。
• 电子衍射的结果表铬酸镧在室温上为正交晶系，并发现晶体中存在畴结构。
• 进一步证明了温度作用下，硬磁畴畴壁中的VBL是逐步解体的。

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